[发明专利]一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件，其特征在于，它是在硅衬底上，自下而上依次沉积n-SiO₂稳定层、n-InGaZnO层和肖特基金属铝电极层而构成，并在硅衬底下部和肖特基金属铝电极层上部用欧姆接触电极引出导线。

2.权利要求1的一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件，其特征在于，SiO₂薄膜的厚度优选300nm-500nm；肖特基金属铝厚度为100～200nm。

3.权利要求1的一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件，其特征在于，欧姆接触电极是银。

4.权利要求1的一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)用去离子水，酒精，反复清洗硅衬底三遍，用氮气吹干；

2)在硅衬底上，利用化学气相沉积法制备300nm-500nm的SiO₂薄膜；

3)制备InGaZnO陶瓷靶材：

将纯度分别≥99.99％的In₂O₃、Ga₂O₃和ZnO粉末，在研钵中进行混匀与研磨，在常压空气气氛下进行高温预烧结6～12h，烧结温度为1000～1400℃；将预烧结后的粉末经研磨处理后，进行压制成型，得到料胚，成型压力为8～10MPa，保持压力时间2～4min，再次高温烧结6～12h，烧结温度为1000～1400℃，制得InGaZnO靶材；

4)生长n型掺铟镓氧化锌薄膜：

将InGaZnO靶材表面清洗后装入真空腔内，对真空室抽真空，当压力达到10^-3Pa以下时，同时向真空室通入氧气，使总压保持在3～15Pa压强下，以紫外脉冲激光为光源进行沉积，对靶材和基片进行自转，靶基距30～50mm；同时调整紫外脉冲激光器输出功率在200～600mw，使得核状羽辉末端恰好接触到基片，在室温衬底温度下生长InGaZnO薄膜，沉积时间为10～60min；

5)用热蒸镀法在2×10^-4Pa真空度下，通入18～25A电流，蒸镀10～20分钟，在半导体氧化物InGaZnO薄膜上生长厚度为100～200nm的肖特基金属铝电极；

6)用欧姆接触电极进行粘连，在肖特基金属铝电极和硅衬底上引出金属铜导线。