[发明专利]一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法有效
| 申请号： | 201110312427.1 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050404A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 柯行飞;张朝阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，包括：晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；进行沟槽刻蚀，形成沟槽；进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；阱注入，形成阱和保护环。本发明利用氧化硅在元胞区内部去除速度远大于元胞区外围的性质，选择合适厚度的氧化硅，通过一次湿刻，在去除元胞区内氧化膜的同时在元胞区外围保留一定厚度的氧化硅作为场氧，只需要一次曝光，三次刻蚀，一次注入即能完成MOSFET器件沟槽和保护环的制作，降低了MOSFET器件沟槽和保护环的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 沟槽 保护环 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，其特征是，包括以下步骤：(1)晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；(2)进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；(3)进行沟槽刻蚀，形成沟槽；(4)进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；(5)阱注入，形成阱和保护环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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