[发明专利]一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法。 

背景技术

传统的沟槽和保护环工艺实现方法包括：生长热氧化膜，经曝光，氧化膜刻蚀和去光阻后形成元胞区，剩余的氧化膜作为场氧；沉积一层氧化膜作为沟槽刻蚀硬模板，经曝光和硬模板刻蚀后形成沟槽图形；去除光阻和干刻蚀后形成沟槽；湿刻去除硬模板，得到场氧和沟槽结构；阱注入后形成阱和保护环；制作过程总共需要两次曝光，四次刻蚀和一次注入。 

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法能减少MOSFET器件沟槽和保护环的制作步骤，降低制作成本。 

为解决上述技术问题，本发明的制作方法，包括： 

(1)晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板； 

(2)进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻； 

(3)进行沟槽刻蚀，形成沟槽； 

(4)进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧； 

(5)阱注入，形成阱和保护环。 

步骤(4)中，保留场氧厚度(a)、原始氧化膜厚度(h)和元胞区沟槽间 隔距离(d)之间关系为a＜h-1/2d。 

本发明的制作方法利用氧化硅在元胞区内部去除速度远大于元胞区外围的性质，选择合适厚度的氧化硅，通过一次湿刻，在去除元胞区内氧化膜的同时在元胞区外围保留一定厚度的氧化硅作为场氧，只需要一次曝光，三次刻蚀，一次注入即能完成MOSFET器件沟槽和保护环的制作，降低了MOSFET器件沟槽和保护环的制作成本。 

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明： 

图1是本发明制造方法的流程图。 

图2是本发明一实施例的示意图一，显示步骤(1)在晶片上生长氧化膜厚度为h。 

图3是本发明一实施例的示意图二，显示步骤(3)对沟槽的刻蚀。 

图4是本发明一实施例的示意图三，显示步骤(4)湿刻的方向。 

图5是本发明一实施例的示意图四，显示步骤(4)湿刻后保留场氧。 

图6是本发明一实施例的示意图四，显示步骤(5)阱注入，形成阱和保护环。 

附图标记说明 

1是晶片            2是氧化膜 

3是沟槽            4是场氧 

5是阱              6是保护环 

具体实施方式

本发明一实施例，包括以下步骤： 

(1)如图2所示，在晶片上生长氧化膜厚度为h，作为沟槽刻蚀的硬模板； 

(2)进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻； 

(3)如图3所示，进行沟槽刻蚀，形成沟槽间隔距离为d； 

(4)如图4所示，进行湿刻，去除元胞区氧化膜；如图5所示保留场氧厚度为a，其中a＜h-1/2d； 

(5)如图6所示，阱注入，形成阱和保护环。 

以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。