[发明专利]超低介电常数薄膜铜互连的制作方法

摘要

本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，该种制作方法采用两步单大马士革工艺制作具有通孔和沟槽的互连层，在制作通孔时采用金属硬模为掩模使得通孔的特征尺寸容易控制，避免了通孔与通孔之间距离减少，从而漏电流不会增大，铜互连的可靠性提高。

主权项

一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，包括以下步骤：在硅片上依次沉积第一刻蚀停止层、第一超低介电常数薄膜、第一超低介电常数薄膜保护膜和金属硬模；采用光刻、刻蚀工艺，形成贯穿金属硬模、第一超低介电常数薄膜保护膜、第一超低介电常数薄膜和第一刻蚀停止层的通孔；在通孔内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层，采用电镀工艺进行铜填充淀积，通过化学机械研磨去除金属硬模、第一超低介电常数薄膜保护膜和部分第一超低介电常数薄膜，形成通孔金属层；在上述结构上依次沉积第二刻蚀停止层、第二超低介电常数薄膜和第二超低介电常数薄膜保护膜；采用光刻、刻蚀工艺，形成贯穿第二超低介电常数薄膜保护膜、第二超低介电常数薄膜和第二刻蚀停止层的沟槽；在沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层，采用电镀工艺进行铜填充淀积，通过化学机械研磨去除第二超低介电常数薄膜保护膜和部分第二超低介电常数薄膜，形成金属互连层。