[发明专利]选择性原子层沉积成膜方法无效

专利信息
申请号: 201110309574.3 申请日: 2011-10-13
公开(公告)号: CN102337523A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 姜谦 申请(专利权)人: 姜谦
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;C23C16/04
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 甄玉荃
地址: 110179 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 选择性原子层沉积成膜方法,属于薄膜涂层领域。它主要解决了现有技术无法对同一基体上所成膜的区域进行选择的技术难题。该方法首先在基体表面做不一样的处理,使其表面具有不同的化学键,或呈现不同的导电性,或具有不同的表面极性,或具备不同的表面张力。其成膜原理:第一个前驱体在基体表面发生选择性化学反应,其次利用惰性气体去除反应室里未反应的多余的前驱体和副产物。然后将第二种前驱体以脉冲形式通入到基体表面,与第一种前驱体反应形成需要的选择性表面。最后再次通入惰性气体,去除未反应的多余前躯体和反应产生的副产物。此为一个周期,不断重复该周期即可形成所需薄膜。具有构思新颖独特,方法简单,效率高,制造成本低的特点。
搜索关键词: 选择性 原子 沉积 方法
【主权项】:
选择性原子层沉积成膜方法,其特征在于:该方法首先在基体表面做不一样的处理,使其表面具有不同的化学键,或呈现不同的导电性,或具有不同的表面极性,或具备不同的表面张力,及其他的物理或化学特性差异,其成膜方法:通过第一个前驱体在表面经过处理的基体表面发生选择性化学反应,其次利用惰性气体去除反应室里未反应的多余的前驱体和副产物,然后将第二种前驱体以脉冲形式通入到基体表面,与第一种前驱体反应形成需要的选择性表面,最后再次通入惰性气体,去除未反应的多余前躯体和反应产生的副产物,此为一个周期,每个周期生长的薄膜都是固定不变的,至多一层单层薄膜,不断重复该周期即可形成所需薄膜。
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