[发明专利]选择性原子层沉积成膜方法无效
| 申请号: | 201110309574.3 | 申请日: | 2011-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN102337523A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
| 发明(设计)人: | 姜谦 | 申请(专利权)人: | 姜谦 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/04 |
| 代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
| 地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 选择性原子层沉积成膜方法,属于薄膜涂层领域。它主要解决了现有技术无法对同一基体上所成膜的区域进行选择的技术难题。该方法首先在基体表面做不一样的处理,使其表面具有不同的化学键,或呈现不同的导电性,或具有不同的表面极性,或具备不同的表面张力。其成膜原理:第一个前驱体在基体表面发生选择性化学反应,其次利用惰性气体去除反应室里未反应的多余的前驱体和副产物。然后将第二种前驱体以脉冲形式通入到基体表面,与第一种前驱体反应形成需要的选择性表面。最后再次通入惰性气体,去除未反应的多余前躯体和反应产生的副产物。此为一个周期,不断重复该周期即可形成所需薄膜。具有构思新颖独特,方法简单,效率高,制造成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词: | 选择性 原子 沉积 方法 | ||
【主权项】:
选择性原子层沉积成膜方法,其特征在于:该方法首先在基体表面做不一样的处理,使其表面具有不同的化学键,或呈现不同的导电性,或具有不同的表面极性,或具备不同的表面张力,及其他的物理或化学特性差异,其成膜方法:通过第一个前驱体在表面经过处理的基体表面发生选择性化学反应,其次利用惰性气体去除反应室里未反应的多余的前驱体和副产物,然后将第二种前驱体以脉冲形式通入到基体表面,与第一种前驱体反应形成需要的选择性表面,最后再次通入惰性气体,去除未反应的多余前躯体和反应产生的副产物,此为一个周期,每个周期生长的薄膜都是固定不变的,至多一层单层薄膜,不断重复该周期即可形成所需薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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