[发明专利]选择性原子层沉积成膜方法

权利要求书

1.选择性原子层沉积成膜方法，其特征在于：该方法首先在基体表面做不一样的处理，使其表面具有不同的化学键，或呈现不同的导电性，或具有不同的表面极性，或具备不同的表面张力，及其他的物理或化学特性差异，其成膜方法：通过第一个前驱体在表面经过处理的基体表面发生选择性化学反应，其次利用惰性气体去除反应室里未反应的多余的前驱体和副产物，然后将第二种前驱体以脉冲形式通入到基体表面，与第一种前驱体反应形成需要的选择性表面，最后再次通入惰性气体，去除未反应的多余前躯体和反应产生的副产物，此为一个周期，每个周期生长的薄膜都是固定不变的，至多一层单层薄膜，不断重复该周期即可形成所需薄膜。

2.如权利要求1所述的选择性原子层沉积成膜方法，其特征在于具体的方法和步骤：a、先用抽真空设备(10)将反应腔(8)抽真空；b、将处理过的基体(1)放入反应腔(8)中，打开源阀A(3)，通入前躯体A(2)三甲基铝；c、三甲基铝通过输送管路(6)进入反应腔(8)与基体(1)的A区域表面的-OH发生反应，生成副产物甲烷(CH₄)，和B区域-H不发生反应，关闭源阀A(3)；d、通入惰性气体，对反应腔(8)进行吹扫，通过抽真空设备(10)去除未反应的三甲基铝和反应产生的副产物；e、打开源阀B(5)通入第二种前躯体B(4)H₂O，将加热器A(7)和加热器B(9)加热；f、H₂O与基体A区域发生反应，生成副产物CH₄，与B区域不发生反应，关闭加热器A(7)和加热器B(9)；g、通入惰性气体对反应腔(8)进行吹扫，通过抽真空设备(10)去除反应室里多余的H₂O和副产物CH₄，；h、在基体(1)的A区域表面生成了一层Al₂O₃，并且在其表面存在一层-OH，基体B区域存在一层未发生任何反应的-H；i、循环2-8步骤，在基体(1)的A区域生成多层Al₂O₃，B区域仍然是未发生任何反应的-H；j、反应完毕即可实现在同一基体上生长不同薄膜的方法。

3.如权利要求1所述的选择性原子层沉积成膜方法，其特征在于：将基体(1)进行表面处理后，使基体(1)的表面不同区域呈现不同的的导电性，通入(CH₃CH₂)₂M或M-N-(CH₃)₂两种前躯体，这两种前躯体倾向于吸附在具有高导电性的基体表面区域，在其表面生长薄膜，而无导电性的表面区域则不发生任何反应，由此实现在同一基体上有选择性的成膜。

4.如权利要求1所述的选择性原子层沉积成膜方法，其特征在于：将基体(1)进行表面处理后，使基体(1)的表面不同区域具有不同的极性，通入M-O-CH₃或M-OC₂H₅两种前躯体，这两种前躯体倾向于吸附在具有极性的基体表面区域，与没有极性的表面区域不发生反应，因此在具有极性的基体1的表面区域反应生长薄膜，实现有选择性的成膜。

5.如权利要求1和权利要求2所述的选择性原子层沉积成膜方法，其特征在于：所述的惰性气体是指氮气或氩气或氦气。