[发明专利]基于可伸缩腔室的原子层沉积设备及其使用方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种基于可伸缩腔室的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；沉积室包括第一容积和第二容积；当沉积室在通气状态时，沉积室的容积为第一容积，当通气结束后，沉积室的容积为第二容积；第一容积大于第二容积。本发明还提供一种基于可伸缩腔室的原子层沉积设备的使用方法。本发明通过采用可伸缩腔室结构，提高了原子层沉积设备的化学试剂的利用率，减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，进而降低沉积反应周期时间，在短时间内加工出所需厚度的膜层，提高了设备的寿命，且能够降低尾气处理的难度。

主权项

一种基于可伸缩腔室的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室，其特征在于：所述沉积室包括第一容积和第二容积；当所述沉积室在通气状态时，所述沉积室的容积为第一容积，当通气结束后，所述沉积室的容积为第二容积；所述第一容积大于所述第二容积。