[发明专利]微晶硅膜的制造方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的是提供保持高膜密度的同时提高结晶性的微晶硅膜的制造方法。本发明的微晶硅膜的制造方法包括如下步骤：在第一条件下在绝缘膜上形成具有混合相微粒的微晶硅膜，在其上，在第二条件下形成第二微晶硅膜。第一条件和第二条件是如下条件：将包含硅的沉积气体和包含氢的气体用作第一原料气体和第二原料气体。作为第一条件的第一原料气体的供给，交替进行第一气体的供给以及第二气体的供给。

主权项

一种微晶硅膜的制造方法，包括如下步骤：在第一条件下，利用第一等离子体CVD法，通过交替供给包括第一沉积气体和第一氢的第一供给气体以及包括第二沉积气体和第二氢的第二供给气体，来在绝缘膜上形成第一微晶硅膜；以及在第二条件下，利用第二等离子体CVD法，通过供给包括第三沉积气体和第三氢的第三供给气体，来在所述第一微晶硅膜上形成第二微晶硅膜，其中所述第一微晶硅膜包括具有硅雏晶和非晶硅的混合相微粒，第一条件是将第一处理室设定为67Pa以上且1333Pa以下的条件，第二条件是将第二处理室设定为1333Pa以上且13332Pa以下的条件，所述第一氢的流量为所述第一沉积气体的流量的50倍以上且1000倍以下，所述第二沉积气体的流量小于所述第一沉积气体的流量，以使对所述绝缘膜上沉积的硅的蚀刻比在所述绝缘膜上的硅的沉积优先进行，并且所述第三氢的流量为所述第三沉积气体的流量的100倍以上且2000倍以下。