[发明专利]一种耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法有效
申请号: | 201110308126.1 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN102315177A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 汪良恩;裘立强;喻慧丹 | 申请(专利权)人: | 扬州杰利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L21/329 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 225008 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片及其加工方法。提供一种在确保封装温度下能可靠地保护芯片,解决封装隐患,且制作工艺更简单的耐高压钝化保护二极管芯片及其加工方法。所述芯片包括片状本体和钝化保护层,在片状本体的上部设有一圈倒角。本发明固化沟槽内的所有填充料;然后,采用热压模压制、加热固化成型;制得产品能保留底部的玻璃材料,在裂片后,确保整个弧面覆盖有钝化保护层,玻璃层厚度更大,因此钝化保护层的强度相应也更大,从而无需在钝化保护层(玻璃层)外再设置缓冲保护层。由于模压口沟槽最低部的玻璃最薄,在裂片时,能形成理想的断裂面。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 钝化 保护 二极管 芯片 及其 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种耐高压钝化保护二极管芯片,所述芯片包括片状本体和钝化保护层,所述片状本体的上部设有一圈倒角,在轴向截面上所述倒角的斜边呈内凹的弧形,其特征在于,钝化保护层覆盖所述本体顶面边缘处及倒角的弧形面;在所述钝化保护层的外表面还二氧化硅防护膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州杰利半导体有限公司,未经扬州杰利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110308126.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:LED路灯装置
- 下一篇:一种宽带相移行波管的输入输出结构