[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够使反向耐压升高的半导体装置。包括：一导电型的半导体层(100)；绝缘体层(130)；设置在绝缘体层中的半导体层(210)；设置于半导体层(210)的有源元件(20)；设置于半导体层(100)的一主面(201)的另一导电型半导体区域(112)；另一导电型半导体区域(114)，设置在半导体区域(112)内，杂质浓度比半导体区域(112)高；导电体(154)，设置于在绝缘体层(130)中设置的通孔(144)内，与半导体区域(144)连接；导电体(214)，设置在绝缘体层(130)上或其中，且是设置在导电体(154)周围，外侧端部位于半导体区域(114)外侧；导电体(192)，设置成连接导电体(154)和导电体(214)；和导电体(152、120)，设置成与半导体层(100)连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：一导电型的第1半导体层；绝缘体层，设置在所述第1半导体层的一主面上；第2半导体层，设置在所述绝缘体层中；有源元件，设置于所述第2半导体层；第1半导体区域，设置于所述第1半导体层的所述一主面，且该第1半导体区域的导电型是与所述一导电型相反的另一导电型；第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，且该第2半导体区域的导电型是所述另一导电型，该第2半导体区域的杂质浓度比所述第1半导体区域高；第1导电体，设置于在所述绝缘体层中设置的通孔内，与所述第2半导体区域连接；第2导电体，设置在所述绝缘体层上或者所述绝缘体层中，并且是设置在所述第1导电体的周围，从垂直于所述一主面的方向观察时，该第2导电体的外侧端部位于所述第2半导体区域的外侧；第3导电体，设置为将所述第1导电体和所述第2导电体连接起来；和第4导电体，设置为与所述第1半导体层电连接。