[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件。具体地，提供一种即使利用确定在电极上是否存在电荷积聚的方法也不能分析内部写入信息的反熔丝。该反熔丝包括栅极绝缘膜、栅电极和第一扩散层。第二扩散层通过器件隔离膜与第一扩散层隔离，并且与第一扩散层的导电类型相同。栅极布线形成为与栅电极成为一体，并且在器件隔离膜上延伸。公共接触将栅极布线耦合到第二扩散层。栅电极由掺杂有与第一扩散层导电类型相同的杂质的诸如多晶硅的半导体材料构成。第二扩散层仅耦合到公共接触。

主权项

一种半导体器件，包括：反熔丝，所述反熔丝包含栅极绝缘膜、栅电极和第一扩散层；第二扩散层，所述第二扩散层与所述第一扩散层的导电类型相同，并且借助于器件隔离膜与所述第一扩散层隔离；栅极布线，所述栅极布线与所述栅电极集成为一体并且在所述器件隔离膜上延伸；和公共接触，所述公共接触将所述栅极布线耦合到所述第二扩散层，其中所述栅电极由被注入有与所述第一扩散层相同的导电类型的杂质的半导体构成，并且所述第二扩散层仅耦合到所述公共接触。