[发明专利]具有超级结的半导体结构的形成方法及半导体结构

摘要

本发明提出一种具有超级结的半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一掺杂类型的半导体衬底；在半导体衬底之上分别形成第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第三掺杂区位于第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，且所述第一掺杂区和第二掺杂区为第一掺杂类型，第三掺杂区为第二掺杂类型；在第三掺杂区顶部形成体区；在第一掺杂区、第二掺杂区和体区上形成掩膜层；刻蚀掩膜层以形成有源区；在所述体区中形成源极；在第一掺杂区、第二掺杂区、体区上方形成介质层；在介质层中形成接触孔区域；形成金属层，所述金属层填充所述接触孔区域。发明中能够形成有序的pnpn结构，降低导通电阻，提高具有超级结的半导体结构的性能。

主权项

一种具有超级结的半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底之上分别形成第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，且所述第一掺杂区和第二掺杂区为第一掺杂类型，所述第三掺杂区为第二掺杂类型，其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度小于所述半导体衬底的掺杂浓度，且所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度与所述第三掺杂区的掺杂浓度相互匹配；向所述第三掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区的一部分至少两次注入第二掺杂类型的杂质离子以形成第二掺杂类型的体区，并进行退火；在所述第一掺杂区、第二掺杂区和体区之上形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层以形成有源区，其中，所述有源区包含在所述体区中；在所述第二掺杂类型的体区中形成第一掺杂类型的源极；在所述第一掺杂区、第二掺杂区、体区、源极上方形成介质层；在所述介质层中形成接触孔区域；和形成金属层，所述金属层填充所述接触孔区域。