[发明专利]感光二极管及其形成方法、CMOS图像传感器

摘要

一种感光二极管及其形成方法、CMOS图像传感器，感光二极管的形成方法包括：提供基底，基底内形成有阱区，基底上形成有栅极结构；在基底上形成具有开口的掩膜层，开口定义出感光二极管的区域；以具有开口的掩膜层为掩膜，对基底进行第一离子注入在阱区内形成第一掺杂区，第一离子注入的方向沿顺时针偏离垂直基底表面的方向第一预定角度，以使第一掺杂区与栅极结构有相互叠置的部分，第一掺杂区的掺杂类型与阱区相反，第一掺杂区与阱区形成感光二极管；以具有开口的掩膜层为掩膜，对基底进行第二离子注入，在第一掺杂区上形成第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂类型与阱区相同。本发明可以减小光生电子转移过程中的噪声以及暗电流。

主权项

一种感光二极管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有阱区，所述基底上形成有栅极结构；在所述基底上形成具有开口的掩膜层，所述开口定义出感光二极管的区域；以所述具有开口的掩膜层为掩膜，对所述基底进行第一离子注入在所述阱区内形成第一掺杂区，所述第一离子注入的方向沿顺时针偏离垂直基底表面的方向第一预定角度，以使所述第一掺杂区与所述栅极结构有相互叠置的部分，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区相反，所述第一掺杂区与所述阱区形成感光二极管；以所述具有开口的掩膜层为掩膜，对所述基底进行第二离子注入，在所述第一掺杂区上形成第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述阱区相同。