[发明专利]感光二极管及其形成方法、CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种感光二极管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内形成有阱区，所述基底上形成有栅极结构；

在所述基底上形成具有开口的掩膜层，所述开口定义出感光二极管的区域；

以所述具有开口的掩膜层为掩膜，对所述基底进行第一离子注入在所述阱区内形成第一掺杂区，所述第一离子注入的方向沿顺时针偏离垂直基底表面的方向第一预定角度，以使所述第一掺杂区与所述栅极结构有相互叠置的部分，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区相反，所述第一掺杂区与所述阱区形成感光二极管；

以所述具有开口的掩膜层为掩膜，对所述基底进行第二离子注入，在所述第一掺杂区上形成第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述阱区相同。

2.如权利要求1所述的感光二极管的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成具有开口的掩膜层，定义出感光二极管的区域之后，对所述基底进行第一离子注入在所述阱区内形成第一掺杂区之前，还包括：去除没有被所述掩膜层覆盖的基底，在所述开口区域的基底形成凹槽。

3.如权利要求2所述的感光二极管的形成方法，其特征在于，所述基底上还形成有第三掺杂区，所述栅极结构形成在所述第三掺杂区上；

在去除没有被所述掩膜层覆盖的基底时，还去除没有被所述掩膜层覆盖的第三掺杂区。

4.如权利要求1所述的感光二极管的形成方法，其特征在于，所述第二离子注入的方向沿顺时针偏离垂直基底表面的方向第二预定角度，以使所述第二掺杂区与所述栅极结构具有叠置部分，且所述第二掺杂区与所述栅极结构的叠置面积小于所述第一掺杂区与所述栅极结构的叠置面积。

5.如权利要求1所述的感光二极管的形成方法，其特征在于，对所述基底进行第二离子注入之前，还包括：以所述具有开口的掩膜层为掩膜，对所述基底进行第三离子注入，所述第三离子注入的方向垂直于基底表面，所述第三离子注入的类型与所述第一离子注入的类型相同。

6.如权利要求1所述的感光二极管的形成方法，其特征在于，所述开口的孔径大于感光二极管区域的孔径，且所述开口暴露出所述栅极的边缘部分。

7.如权利要求1所述的感光二极管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。

8.如权利要求1所述的感光二极管的形成方法，其特征在于，形成第二掺杂区后，还包括：去除所述掩膜层，在所述栅极结构两侧形成侧墙。

9.一种感光二极管，包括：

位于基底内的阱区，所述基底上具有栅极结构；

位于阱区内的第一掺杂区，所述第一掺杂区上形成有第二掺杂区，且第一掺杂区位于所述栅极结构的一侧；

其特征在于，所述第一掺杂区与所述栅极结构具有叠置部分。

10.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述第二掺杂区也与所述栅极结构具有叠置部分，且所述第二掺杂区与栅极结构的叠置面积小于第一掺杂区与栅极结构的叠置面积。

11.如权利要求10所述的感光二极管，其特征在于，所述基底上还具有第三掺杂区，覆盖基底且暴露出所述第二掺杂区，所述栅极结构形成于所述第三掺杂区上。

12.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括权利要求9～11任一项所述的感光二极管。