[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法无效
| 申请号： | 201110297721.X | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102983258A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 蓝文正;张聪明 | 申请（专利权）人： | 台湾波律股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 任永武;须一平 |
| 地址： | 中国台湾台北市松*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管晶粒及其制造方法，发光二极管晶粒包含：一散热绝缘基板；一第一金属层，形成于该散热绝缘基板的一表面上；一发光二极管磊晶层；以及一第二金属层，形成于该发光二极管磊晶层上，与该第一金属层接合。本发明的发光二极管晶粒是采用电热分离的结构，通过散热绝缘基板使发光二极管磊晶层所产生的热散逸掉，可使发光二极管晶粒所产生的热量散逸出其外，以增加发光二极管晶粒的使用寿命，并使得发光强度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，其特征在于包含：一散热绝缘基板；一第一金属层，形成于该散热绝缘基板的一表面上；一发光二极管磊晶层；以及一第二金属层，形成于该发光二极管磊晶层上，与该第一金属层接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾波律股份有限公司，未经台湾波律股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110297721.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LED日光灯散热结构
- 下一篇：摩托车点火线圈支架
