[发明专利]垂直双栅极电路结构

摘要

本发明公开了一种垂直双栅极电路结构，包含：具有一凹槽的一半导体基板；置于该凹槽表面的一第一绝缘层；置于该凹槽下半部的一底部导体，该底部导体通过多个长垂直导体柱连接至一外接偏压；置于该凹槽上半部的一顶部导体，该顶部导体连接至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶端表面高于该半导体基板的表面；以及置于该底部导体和该顶部导体间的一第二绝缘层。本发明用来解决短通道效应。

主权项

一种电路结构，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一凹槽；一第一绝缘层，设置于该凹槽中；一底部导体，设置于该凹槽下半部，该底部导体经由多个长垂直导体柱连结至一外部偏压；一顶部导体，设置于该凹槽上半部，该顶部导体连结至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶部表面高于该半导体基板的表面；以及一第二绝缘层，设置于该底部导体及该顶部导体之间。