[发明专利]垂直双栅极电路结构

权利要求书

1.一种电路结构，其特征在于，包含：

一半导体基板，具有一凹槽；

一第一绝缘层，设置于该凹槽中；

一底部导体，设置于该凹槽下半部，该底部导体经由多个长垂直导体柱连结至一外部偏压；

一顶部导体，设置于该凹槽上半部，该顶部导体连结至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶部表面高于该半导体基板的表面；以及

一第二绝缘层，设置于该底部导体及该顶部导体之间。

2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，还包含：

多个第一导电区，设置于该半导体基板内；以及

多个第二导电区，设置于该半导体基板内，且该第一绝缘层设置于该第一导电区及该第二导电区之间。

3.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，该第一导电区为一源极掺杂区，而该第二导电区为一漏极掺杂区。

4.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，该底部导体及该顶部导体包含多晶硅。

5.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，该顶部导体包含一长边及垂直于该长边的一短边。

6.根据权利要求5所述的电路结构，其特征在于，还包含：

一侧壁边衬，设置于该短边侧壁以及该长边侧壁，该长边的侧壁的侧壁边衬位于该半导体基板的表面上。

7.根据权利要求6所述的电路结构，其特征在于，该第一绝缘层、该第二绝缘层、以及该侧壁边衬的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的电路结构，其特征在于，该底部导体、该顶部导体、该第一绝缘层、该第二绝缘层、以及该侧壁边衬构成一垂直双栅极。

9.根据权利要求8所述的电路结构，其特征在于，还包含：

一电流通道，设置于该半导体基板内，该电流通道沿着该垂直双栅极下半部的边缘并位于该第一导电区及该第二导电区之间。

10.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，连结至该底部导体的该多个长垂直导体柱为连接至一字符线的第一导体柱，其经配置以将该底部导体与该字符线的一第一电极电气相连。

11.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，连结至该顶部导体的该多个短垂直导体柱为连接至一字符线的第二导体柱，其经配置以将该顶部导体与该字符线的一第二电极电气相连。

12.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，进一步包含一位元线导体柱，其经配置以将该第一导电区或该第二导电区与一位元线电气相连。

13.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，该长垂直导体柱及该短垂直导体柱包含钨。