[发明专利]闪存储存装置及其不良储存区域的判定方法

摘要

一种适用于闪存储存装置的不良储存区域的判定方法，包括下列步骤：首先，对闪存芯片下达写入指令，以将写入数据写入指定储存分页；当闪存芯片开始对指定储存分页写入数据时，取得第一时间；当闪存芯片完成指定储存分页的数据写入时，取得第二时间；根据第一时间及第二时间，计算出写入时间；假如写入时间不符合标准值，将指定储存分页标记为不良储存区域，并将写入数据复制至备用分页；最后，更新映射表。这种不良储存区域的判定方法通过在写入周期及时淘汰不良储存区域，可以有效地提升闪存储存装置的可靠度。

主权项

一种不良储存区域的判定方法，适用于闪存储存装置，所述闪存储存装置包括一具有若干个区块的闪存芯片，所述区块分别包括若干个分页，其特征在于：所述不良储存区域的判定方法包括下列步骤：对所述闪存芯片下达一写入指令，以将一写入数据写入所述分页中一指定储存分页；当所述闪存芯片开始将所述写入数据写入所述指定储存分页时，取得一第一时间；当所述闪存芯片完成将所述写入数据写入所述指定储存分页时，取得一第二时间；根据所述第一时间及第二时间，计算出一写入时间；判断所述写入时间是否符合一标准值；假如所述写入时间不符合所述标准值，将所述指定储存分页标记为不良储存区域，并将所述写入数据复制至一备用分页；及根据所述指定储存分页被标记为不良储存区域及所述写入数据的备份信息，更新一映射表。