[发明专利]闪存储存装置及其不良储存区域的判定方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种闪存储存装置，特别是一种闪存储存装置的不良储存区域的判定方法。

背景技术

闪存是一种非挥发性内存，其具备高储存密度、低耗电特性、有效的存取效率及合理价格成本等优点。闪存中又以NAND(与非门)型闪存为主流，常应用于记忆卡、U盘、固态磁盘驱动器等装置，以及构成电子装置的内存系统。

由于记录在闪存记忆单元内的数据信号会随着时间而减弱，而导致写入数据的可靠度逐渐降低，因此闪存储存装置对此而建置错误修正码(ECC，Error Correction Code)机制，以检测与修正数据的错误码。数据写入周期中，错误修正码模块根据数据内容编码而产生错误修正码，连同数据一并存入分页的冗余区域。当由分页读取出数据时，错误修正码模块再根据现有数据内容编码产生另一组错误码，与旧有的错误修正码比对，以过滤出数据的错误码并加以修正。

然而，错误修正码模块的除错能力有限，假如数据的错误码数量超出除错极限，则无法将全部的错误数据修正。现有技术中，为了确保数据校正的可靠度，通常会使错误修正码的除错能力高于数据的错误码数量。通过对数据的错误码数量设定限制值，将分页数据的错误码数量高于限制值的储存区域判定为不良而及时淘汰。具体来说，读取周期中，当判断出数据的错误码数量超出限制值时，储存装置便将读取的分页或此分页所属的区块判定为不良储存区域，在分页或区块的特定位置标记区块毁损，并将经过修正的数据复制至内存的其他实体位置，以终结不良储存区域的使用。

但上述的不良储存区域的判定模式可能存在下述问题：由于储存区域的优劣判定仅在读取周期执行，假如分页在写入数据前，其储存能力已偏低，在数据写入后，势将导致内部数据的错误量攀升。后续读取不良分页的数据时，数据错误码数量极可能超出储存装置的除错极限，而导致错误数据无法还原为正确数据。

发明内容

因此，本发明的实施例在于提供一种闪存储存装置及其不良储存区域的判定方法，其通过判断闪存芯片的指定储存分页的数据写入时间是否符合标准值，并在写入时间不符合标准值时，将指定储存分页标记为不良储存区域，并将所述写入数据复制至备用分页。

根据本发明的一种实施例，提供一种不良储存区域的判定方法，适用于闪存储存装置。所述的闪存储存装置包括具有若干个区块的闪存芯片，所述区块分别包括若干个分页。所述的不良储存区域的判定方法包括下列步骤：首先，对闪存芯片下达写入指令，以将写入数据写入指定储存分页；其次，当闪存芯片开始将写入数据写入指定储存分页时，取得第一时间；其后，当闪存芯片完成将写入数据写入指定储存分页时，取得第二时间；其后，根据第一时间及第二时间，计算出写入时间；其后，判断写入时间是否符合标准值；假如写入时间不符合标准值，将指定储存分页标记为不良储存区域，并将写入数据复制至备用分页；最后，根据指定储存分页被标记为不良储存区域及写入数据的备份信息，更新映射表。

根据本发明的另一种实施例，提供一种闪存储存装置，包括闪存芯片及内存控制器。闪存芯片包括若干个区块，每一区块包括若干个分页；闪存芯片具有用以输出状态信号的状态输出端，当闪存芯片为待命状态时，状态信号的准位为第一逻辑值，当闪存芯片为工作状态时，状态信号的准位为第二逻辑值。内存控制器用于对闪存芯片作访问控制。当内存控制器对闪存芯片下达写入指令，以将写入数据写入指定储存分页时，内存控制器于状态信号由第一逻辑值转换为第二逻辑值时，取得第一时间，并于状态信号由第二逻辑值转换为第一逻辑值时，取得第二时间。内存控制器根据第一时间及第二时间，计算出写入时间，并判断写入时间是否符合标准值，当写入时间不符合标准值时，内存控制器控制闪存芯片将指定储存分页标记为不良储存区域，并将写入数据复制至备用分页，再根据指定储存分页被标记为不良储存区域及写入数据的备份信息，更新映射表。

因此，本发明的有益效果是：所述的闪存储存装置及其不良储存区域的判定方法可在闪存芯片的写入周期中，及时淘汰不良储存区域，而可防止误将数据写入不良储存区域。本发明适用于结合读取周期的错误修正码技术，共同过滤不良储存区域，以促使闪存储存装置的可靠度有效提升。

以上的概述与接下来的详细说明及附图，都是为了能进一步说明本发明为达成预定目的所采取的方式、手段及功效。而有关本发明的其他目的及优点，将在后续的说明及附图中加以阐述。

附图说明

图1为本发明的闪存储存装置的一具体实施例的功能方块图。

图2为本发明的闪存储存装置的另一具体实施例的功能方块图。