[发明专利]一种半导体器件的检测样本制作方法及检测样本有效
| 申请号： | 201110287490.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103021802A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞娟;段淑卿;赵燕丽;王小懿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的检测样本制作方法及检测样本，本发明提供的方法及检测样本，在半导体器件上要制作样品的区域内横向电镀Pt层之前，在该样品区域中的要采用TEM观测的结构位置处纵向电镀Pt层，然后再采用现有技术的方式进行检测样本的制作，这样，在采用TEM对检测样品进行检测时，就可以根据纵向电镀Pt层准确识别出要观测的通孔或栅极位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 检测 样本 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的检测样本制作方法，其特征在于，该方法包括：在半导体器件上要制作样品的区域中，要采用透射电子显微镜TEM观测的结构位置处纵向电镀铂Pt层；在半导体器件上要制作样品的区域内横向电镀Pt层；采用聚焦离子束FIB方式在半导体器件进行样品区域的切割，得到样品区域结构；对样品区域结构进行底部脱离；采用FIB方式对样品区域结构的厚度减薄及样品区域结构两边切断，得到检测样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
