[发明专利]金属有机化合物化学气相沉积装置及其气体输送方法有效
| 申请号： | 201110287036.9 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103014665A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 奚明;马悦;萨尔瓦多;黄占超 | 申请（专利权）人： | 理想能源设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属有机化合物化学气相沉积装置及其气体输送方法，所述装置包括：反应腔、冷却装置、位于所述反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座具有加热单元，所述喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置，用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区，所述第一气体包括III族金属有机源，所述第二气体包括V族氢化物源；所述第一进气装置的材料不同于所述第二进气装置的材料，在所述金属有机化合物化学气相沉积装置的沉积过程中，所述第一进气装置的温度不同于所述第二进气装置的温度。本发明可以为不同的反应气体提供不同的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机化合物 化学 沉积 装置 及其 气体 输送 方法 | ||
【主权项】：
一种金属有机化合物化学气相沉积装置，包括：反应腔、冷却装置、位于所述反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座具有加热单元，所述喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置，用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区，所述第一气体包括III族金属有机源，所述第二气体包括V族氢化物源；其特征在于，所述第一进气装置的材料不同于所述第二进气装置的材料，在所述金属有机化合物化学气相沉积装置的沉积过程中，所述第一进气装置的温度小于所述第二进气装置的温度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
