[发明专利]碳化硅半导体器件无效
| 申请号： | 201110283503.0 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102412300A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | A·施普利;P·莫比;J·科文顿;M·詹宁斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气航空系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 英国格*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明名称为“碳化硅半导体器件”。一种制造半导体器件的方法，包括：将包含硅的第一层(16)施加到包含碳化硅的第二层(15)，由此定义了在第一层和第二层之间的界面，并氧化第一层(16)的一些或全部。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：将包含硅的第一层施加到包含碳化硅的第二层，由此在所述第一层和所述第二层之间定义了界面，以及氧化所述第一层的一些或全部。
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