[发明专利]碳化硅半导体器件无效
| 申请号： | 201110283503.0 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102412300A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | A·施普利;P·莫比;J·科文顿;M·詹宁斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气航空系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 英国格*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：将包含硅的第一层施加到包含碳化硅的第二层，由此在所述第一层和所述第二层之间定义了界面，以及氧化所述第一层的一些或全部。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层晶片结合到所述第二层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二层由单晶的SiC组成。
4.根据上述权利要求的任一项所述的方法，其中，所述第一层由单晶的Si组成。
5.根据权利要求1到4的任一项所述的方法，其中，氧化所述第一层的一些或全部的所述步骤在将所述第一层施加到所述第二层之后执行。
6.根据权利要求1到4的任一项所述的方法，其中，氧化所述第一层的一些或全部的所述步骤在将所述第一层施加到所述第二层之前或者同时执行。
7.一种根据权利要求1到6的任一项所述的方法制造的半导体器件，包括接合到包含碳化硅的第二层的、包含SiO2的第一层，由此在所述第一层和所述第二层之间定义了界面。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其包括MOSFET。
9.一种包含根据权利要求7或8所述的半导体器件的航空器配电系统。
10.一种制造半导体器件的方法，大体上如参照附图在本文中描述的那样。
11.一种半导体器件，大体上如参照附图在本文中描述的那样。
12.一种航空器配电系统，大体上如参照附图在本文中描述的那样。
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