[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 201110278114.9 | 申请日: | 2011-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN102403040A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | 镰田康一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;H01L29/78 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;朱海煜 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 所公开的发明的一个方式的目的之一是提供一种即使没有电力供应也能够保持存储内容并对写入次数也没有限制的具有新结构的半导体装置。所公开的发明的一个方式的目的之一是缩小电路规模并提高写入、读出的可靠性。在对使用包含氧化物半导体层的晶体管的存储单元进行验证工作及读出时,通过将显示不同的阈值电压的双栅驱动的晶体管用作电阻元件,可以仅使用一系统的基准电位电路实现稳定的验证工作及读出工作。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:包括第一晶体管、第二晶体管及电容器的存储单元,其中所述第一晶体管的第一栅极端子与所述电容器电连接,所述第一晶体管的第一源极端子与位线电连接,所述第一晶体管包括半导体衬底,并且所述第二晶体管的第二栅极端子与氧化物半导体用字线电连接,所述第二晶体管的第二源极端子与氧化物半导体用位线电连接,所述第二晶体管的第二漏极端子与所述第一晶体管的所述第一栅极端子电连接,所述第二晶体管包括氧化物半导体层;包括具有第三源极端子、第三漏极端子、第三栅极端子以及第四栅极端子的双栅驱动的电阻元件,其中所述第三源极端子及所述第三栅极端子与电源电压被输入的端子电连接,且所述第三漏极端子与所述位线电连接;输出基准电位的基准电位电路;与所述基准电位电路及所述位线电连接的电位比较电路,该电位比较电路对所述基准电位电路所输出的所述基准电位与所述位线的电位进行比较;以及与所述电位比较电路电连接的控制电路,其中所述电位比较电路的输出电位施加到电源控制电路部及状态转换电路部,其中,所述状态转换电路部与所述电源控制电路部的输入部及所述电阻元件的所述第四栅极端子电连接,且对所述第四栅极端子施加电位,并且,所述电源控制电路部与所述氧化物半导体用位线电连接,且对所述氧化物半导体用位线施加电位。
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