[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括第一晶体管、第二晶体管及电容器的存储单元，其中所述第一晶体管的第一栅极端子与所述电容器电连接，所述第一晶体管的第一源极端子与位线电连接，所述第一晶体管包括半导体衬底，并且所述第二晶体管的第二栅极端子与氧化物半导体用字线电连接，所述第二晶体管的第二源极端子与氧化物半导体用位线电连接，所述第二晶体管的第二漏极端子与所述第一晶体管的所述第一栅极端子电连接，所述第二晶体管包括氧化物半导体层；

包括具有第三源极端子、第三漏极端子、第三栅极端子以及第四栅极端子的双栅驱动的电阻元件，其中所述第三源极端子及所述第三栅极端子与电源电压被输入的端子电连接，且所述第三漏极端子与所述位线电连接；

输出基准电位的基准电位电路；

与所述基准电位电路及所述位线电连接的电位比较电路，该电位比较电路对所述基准电位电路所输出的所述基准电位与所述位线的电位进行比较；以及

与所述电位比较电路电连接的控制电路，其中所述电位比较电路的输出电位施加到电源控制电路部及状态转换电路部，

其中，所述状态转换电路部与所述电源控制电路部的输入部及所述电阻元件的所述第四栅极端子电连接，且对所述第四栅极端子施加电位，

并且，所述电源控制电路部与所述氧化物半导体用位线电连接，且对所述氧化物半导体用位线施加电位。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述基准电位电路为输出各个电位的多个基准电位电路。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体衬底为单晶半导体衬底。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体衬底包含硅。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层为包含In、Ga及Zn的氧化物半导体材料。