[发明专利]半导体元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110276649.2 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN102403221A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 樋口俊彦 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: H01L21/321 分类号: H01L21/321
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供适于在高温下的处理的半导体元件的制造方法。提供一种半导体元件的制造方法,其特征在于,其包括下述工序:第1工序,在半导体晶片(10)的第1面(11)制作半导体元件(20)的第1构成部(21);第2工序,在第1构成部(21)的表面,仅夹置有机硅树脂层(30)来贴附支撑板(40);第3工序,在贴附有支撑板(40)的状态下,研磨半导体晶片(10)的位于第1面的相反侧的第2面(12),然后在研磨面(13)制作半导体元件(20)的第2构成部(22);第4工序,从制作有第1构成部(21)和第2构成部(22)的半导体晶片(10)剥离有机硅树脂层(30),去除有机硅树脂层(30)和支撑板(40),另外,将半导体晶片(10)切断成芯片状。
搜索关键词: 半导体 元件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体元件的制造方法,其包括下述工序:第1工序,在半导体晶片的第1面制作半导体元件的第1构成部;和第2工序,在所述半导体晶片的制作有所述第1构成部的第1面,仅夹置有机硅树脂层来贴附支撑板;和第3工序,在贴附有所述支撑板的状态下,研磨所述半导体晶片的位于所述第1面的相反侧的第2面,然后在研磨面制作所述半导体元件的第2构成部;和第4工序,从制作有所述第1构成部和所述第2构成部的所述半导体晶片剥离所述有机硅树脂层,去除所述有机硅树脂层和所述支撑板,另外,将所述半导体晶片切断成芯片状。
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