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- [发明专利]半导体元件的制造方法-CN201110276649.2无效
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樋口俊彦
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旭硝子株式会社
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2011-09-15
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2012-04-04
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H01L21/321
- 本发明提供适于在高温下的处理的半导体元件的制造方法。提供一种半导体元件的制造方法,其特征在于,其包括下述工序:第1工序,在半导体晶片(10)的第1面(11)制作半导体元件(20)的第1构成部(21);第2工序,在第1构成部(21)的表面,仅夹置有机硅树脂层(30)来贴附支撑板(40);第3工序,在贴附有支撑板(40)的状态下,研磨半导体晶片(10)的位于第1面的相反侧的第2面(12),然后在研磨面(13)制作半导体元件(20)的第2构成部(22);第4工序,从制作有第1构成部(21)和第2构成部(22)的半导体晶片(10)剥离有机硅树脂层(30),去除有机硅树脂层(30)和支撑板(40),另外,将半导体晶片(10)切断成芯片状。
- 半导体元件制造方法
- [发明专利]光扩散板及其制造方法-CN200680019582.1无效
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猪熊久夫;樋口俊彦;光井彰
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旭硝子株式会社
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2006-05-10
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2008-05-28
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G02B5/02
- 提供PTV用透射型屏幕,特别是可用于搭载MD等光学引擎的高清晰PTV且可应对大型化的高刚性的透射型屏幕和其中所用的扩散板。上述光扩散板是包含基板和形成于基板的光扩散层的光扩散板,其特征在于,光扩散层至少由2层构成,该2层为第1光扩散层和第2光扩散层,该第1光扩散层包含第1基料及与第1基料的折射率差Δn1为0.04≤Δn1≤0.2的第1光扩散材料,该第2光扩散层包含第2基料及与第2基料的折射率差Δn2为0.005≤Δn2<0.04的第2光扩散材料,第1光扩散层中的第1光扩散材料的体积率不足40%,第2光扩散层中的第2光扩散材料的体积率为40%以上,光扩散层的总层厚以固化后的层厚计为5~200μm。
- 扩散及其制造方法
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