[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

摘要

一种半导体发光器件包括设置在衬底上的半导体层结构。层结构包括置于第一层和第二层之间的有源区。一个或更多个空腔存在于层结构中，每个空腔与穿透位错相对应，并从层结构的上表面至少延伸穿过第二层和有源区。去除穿透位错所在处的材料提供了对穿透位错用作非辐射中心的趋势的有效抑制，由此改善了器件的光输出效率。该器件可以通过在一个或更多个穿透位错的部位处选择性蚀刻层结构以在所述部位或每个部位处形成引导空腔的第一步骤来制造。应用第二蚀刻步骤，以增加每个引导空腔的深度。

主权项

一种半导体发光器件，包括：衬底；置于衬底上的半导体层结构，所述半导体层结构包括置于衬底上的第一层、第二层以及置于第一层和第二层之间用于光发射的有源区；和层结构中的一个或多个空腔，所述空腔或每个空腔与总体延伸穿过层结构的至少第一类型的相应穿透位错相对应，且所述空腔或每个空腔从层结构的上表面延伸穿过至少第二层和有源区。