[发明专利]电阻及其制作方法有效
| 申请号： | 201110271859.2 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000582A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杨杰甯;徐世杰;林俊贤;王尧展;白启宏;曾纪升 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电阻以及具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法，该制作方法首先提供基底，且该基底上定义有晶体管区与电阻区。接下来，在该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻，且该晶体管具有虚置栅极。随后，移除该虚置栅极与部分该电阻，以分别于该晶体管与该电阻内形成第一沟槽与二个第二沟槽，并于该第一沟槽与这些第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层。之后，在该第一沟槽与这些第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有金属栅极的晶体管与电阻的制作方法，包括：提供基底，该基底上定义有晶体管区与电阻区；于该晶体管区与该电阻区内分别形成晶体管与电阻，且该晶体管具有虚置栅极；移除该虚置栅极与部分该电阻，以分别于该晶体管与该电阻内形成一个第一沟槽与二个第二沟槽；于该第一沟槽与该多个第二沟槽内分别形成至少一高介电常数栅极介电层；以及于该第一沟槽与该多个第二沟槽中分别形成金属栅极与金属结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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