[发明专利]GaN基发光二极管芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110268163.4 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102324450A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;郝茂盛;张楠 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法，包括：1)提供蓝宝石衬底；2)在所述蓝宝石衬底正面形成GaN半导体层；3)形成透明导电层、N电极以及P电极；4)减薄所述蓝宝石衬底；5)在所述蓝宝石衬底背面形成反射层；6)裂片，还包括步骤(a)，即通过光刻和蚀刻技术使所述蓝宝石衬底局部露出，以及步骤(b)，即沿着露出的所述蓝宝石衬底进行正面隐形切割，所述步骤(a)先于所述步骤(b)被实施，且所述步骤(a)和(b)分别在所述步骤2)之后且在所述步骤4)之前被实施。根据该方法能够同时发挥隐形切割技术以及背面蒸镀反射层技术的优点，亮度提升效果及稳定性效果明显，生产成本低并且简单易操作。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)提供蓝宝石衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；2)在所述蓝宝石衬底的所述第一表面上形成GaN半导体层；3)在所述GaN半导体层上形成透明导电层、N电极以及P电极；4)从所述蓝宝石衬底的第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底；5)在所述蓝宝石衬底的所述第二表面上形成反射层；以及6)裂片，还包括步骤(a)，即从所述蓝宝石衬底的所述第一表面的一侧，通过光刻和蚀刻技术使所述蓝宝石衬底局部露出，以及步骤(b)，即沿着露出的所述蓝宝石衬底从所述第一表面所在的一侧进行隐形切割，所述步骤(a)先于所述步骤(b)被实施，并且所述步骤(a)和(b)分别在所述步骤2)之后且在所述步骤4)之前被实施。
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