[发明专利]GaN基发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)提供蓝宝石衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

2)在所述蓝宝石衬底的所述第一表面上形成GaN半导体层；

3)在所述GaN半导体层上形成透明导电层、N电极以及P电极；

4)从所述蓝宝石衬底的第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底；

5)在所述蓝宝石衬底的所述第二表面上形成反射层；以及

6)裂片，

还包括步骤(a)，即从所述蓝宝石衬底的所述第一表面的一侧，通过光刻和蚀刻技术使所述蓝宝石衬底局部露出，以及

步骤(b)，即沿着露出的所述蓝宝石衬底从所述第一表面所在的一侧进行隐形切割，

所述步骤(a)先于所述步骤(b)被实施，并且所述步骤(a)和(b)分别在所述步骤2)之后且在所述步骤4)之前被实施。

2.根据权利要求1所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于，

所述GaN半导体层包括依次形成的N型GaN层、量子阱层以及P型GaN层，

所述透明导电层、所述P电极和所述N电极的形成步骤如下：

在所述GaN半导体层上形成所述透明导电层；

通过光刻以及刻蚀使所述N型GaN层局部露出；以及

在所述透明导电层上形成P电极，在露出的所述N型GaN层上形成N电极。

3.根据权利要求2所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(a)和(b)分别在所述透明导电层、所述P电极和所述N电极的上述形成步骤中的任一步骤之后被实施。

4.根据权利要求1所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于，

所述GaN半导体层包括依次形成的N型GaN层、量子阱层以及P型GaN层，

所述透明导电层、所述P电极和所述N电极的形成步骤如下：

通过光刻以及刻蚀使所述N型GaN层局部露出；

在所述P型GaN半导体层上形成所述透明导电层；以及

在所述透明导电层上形成P电极，在露出的所述N型GaN层上形成N电极。

5.根据权利要求4所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(a)和(b)分别在所述透明导电层、所述P电极和所述N电极的上述形成步骤中的任一步骤之后被实施。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石衬底是平片或者图形化蓝宝石衬底。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的GaN基LED芯片的制备方法，所述反射层为分布布拉格反射镜层。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的GaN基LED芯片的制备方法，所述反射层包括分布布拉格反射镜层以及形成在所述分布布拉格反射镜层上的金属层。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的GaN基LED芯片的制备方法，所述反射层为金属反射层。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的GaN基LED芯片的制备方法，所述反射层为包括介质层与金属反射层的全向反射层。

11.一种GaN基LED芯片，其特征在于，是通过权利要求1至10中任一项所述的制备方法制成的。