[发明专利]一种新型金属—绝缘层—金属电容结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种本发明提出的金属—绝缘层—金属（MIM）电容结构及其制造工艺。本发明所提出的铜大马士革MIM电容制造工艺，在形成绝缘层后淀积金属保护层，避免后续制程对绝缘层的损伤，可仅采用一次金属化和平坦化工艺同时制作上电极和通孔或其他结构，可以减少工艺步骤，缩短生产周期，降低生产成本，制造获取的MIM电容结构能够完全兼容CMOS逻辑电路及电感，不仅改善了工艺的复杂性；而且使用低电阻铜作为电极板可改善MIM电容性能，非常适于实用。

主权项

一种金属—绝缘层—金属（MIM）电容结构，其特征在于：该电容结构包括：半导体结构；第一介电层，所述的第一介电层在所述半导体结构上，并已形成下电极和第一金属互连线；通孔介电层，所述的通孔介电层包括在第一介电层上淀积的第一介电阻挡层和第二介电层，所述通孔介电层有上电极沟槽和通孔，上电极沟槽底部覆盖绝缘层及金属保护层；沟槽介电层，所述的沟槽介电层包括在通孔介电层上淀积第二介电阻挡层和第三介电层，所述沟槽介电层中，在上电极的通孔介电层上形成第一沟槽，在通孔的通孔介电层上形成第二沟槽；其中通孔侧壁和底部及上电极沟槽金属保护层上覆盖金属阻挡层和铜籽晶层，上电极沟槽和通孔填满电镀金属铜。