[发明专利]可调谐激光晶体掺铬钼酸镁及其制备

摘要

本发明提供了一种可调谐激光晶体掺铬钼酸镁及其制备方法。采用熔盐顶部籽晶法，以55～80at.％k₂mo₂o₇为助熔剂，生长参数为：降温速率0.5～5℃/天，生长温度700～880℃，转速5～30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的cr³⁺:mgmoo₄晶体。该晶体属于单斜晶系，具有c2/m空间群结构，a＝10.273b＝9.288c＝7.025β＝106.96°，z＝8，v＝641.14d_c＝3.82g/cm³。该晶体具有机械性能适中、可调谐激光波段宽、发射截面大和荧光寿命短等特点，是一种较好的可调谐激光晶体材料。

主权项

1.一种掺铬钼酸镁可调谐激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Cr³⁺：MgMoO₄，属于单斜晶系，a＝10.273b＝9.288c＝7.025β＝106.96°，z＝8，V＝641.14D_c＝3.82g/cm³。