[发明专利]可调谐激光晶体掺铬钼酸镁及其制备无效
| 申请号： | 201110262145.5 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102534792A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王国富;李凌云;林州斌;王国建;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B9/12;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调谐 激光 晶体 钼酸 及其 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺铬钼酸镁可调谐激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Cr3+：MgMoO4，属于单斜晶系，a＝10.273b＝9.288c＝7.025β＝106.96°，z＝8，V＝641.14Dc＝3.82g/cm3。
2.如权利要求1所述的掺铬钼酸镁可调谐激光晶体，其特征在于：铬离子是作为掺杂离子，取代镁离子的晶格位置，其掺杂浓度为0.2at％～5at％。
3.如权利要求1所述的掺铬钼酸镁可调谐激光晶体，其特征在于：作为掺杂离子的铬离子其价态为+3价。
4.一种权利要求1、2或3所述的掺铬钼酸镁可调谐激光晶体的制备方法，其特征在于：该晶体采用熔盐顶部籽晶法生长，所用助熔剂为K2Mo2O7，助熔剂在所配制原料中所占的浓度为55～80at.％，生长温度700～880℃，降温速率为0.5～5℃/天，晶体转速为5～30rpm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110262145.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
