[发明专利]新型功率半导体集成器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，公开了一种适用于电力电子集成电路技术领域的功率半导体集成器件。它将两个分立的半导体器件JFET与JBS集成于一块芯片上，形成一块新型半导体器件，在功能上等同于JFET与JBS并联连接，大大减小模块封装体积及成本。而且利用JFET和JBS工艺的高度兼容性，同时实现这两种器件，在一个单芯片和同一套工艺中实现两种器件。P+的注入工艺同时提供了JFET的栅极结构和JBS的P型电场阻断结构部分；JBS的阳极、JFET的源极和栅极金属电极都可以由一次淀积工艺完成。

主权项

新型功率半导体集成器件，包括一个以上依次左右并联相连的半导体单元，其特征在于：所述每一个半导体单元上均集成有一个结型场效应晶体管JFET和一个结势垒肖特基JBS，所述的结型场效应晶体管JFET和结势垒肖特基JBS左右相连；单个半导体单元的一侧为结型场效应晶体管JFET，另一侧为结势垒肖特基JBS，半导体单元的下部分由下至上依次设有漏极、N+衬底和N‑外延层。