[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201110261053.5 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102385911A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 姜郁成;全永铉;崔周善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4093;G11C11/4096;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体封装。所述半导体封装包括封装接口，一叠半导体芯片，多叠贯通衬底通路和接口电路。封装接口包括至少第一对端子。每叠贯通衬底通路包括多个贯通衬底通路，所述多个贯通衬底通路包括各个半导体芯片的贯通衬底通路，每个贯通衬底通路电连接到紧邻的半导体芯片的贯通衬底通路。接口电路包括输入端，该输入端连接到所述第一对端子以接收提供第一信息的差分信号，并且该接口电路还包括输出端，该输出端以单端信号格式将包括所述第一信息的输出信号提供给所述多叠贯通衬底通路中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：封装接口，其包括至少第一对端子；一叠半导体芯片；多叠贯通衬底通路，每叠贯通衬底通路包括多个贯通衬底通路，所述多个贯通衬底通路包括各个半导体芯片的贯通衬底通路，每个贯通衬底通路电连接到紧邻的半导体芯片的贯通衬底通路；以及接口电路，其包括输入端，该输入端连接到所述第一对端子以接收提供第一信息的差分信号，并且该接口电路还包括输出端，该输出端以单端信号格式将包括所述第一信息的输出信号提供给所述多叠贯通衬底通路中的至少一个。
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