[发明专利]BiCMOS工艺中的寄生PIN器件及制造方法无效
| 申请号： | 201110259144.5 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102412308A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 胡君;刘冬华;段文婷;石晶;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件，形成于硅衬底上，有源区通过浅沟槽隔离，包括：一N型区，由形成于浅沟槽隔离氧化层底部并和有源区相隔一段距离的一N型赝埋层组成；一I型区，是由形成于有源区中N型的集电极注入区形成，和N型区在浅沟槽隔离氧化层底部相接触；一P型区，由形成于有源区表面上的掺有P型杂质的本征基区外延层组成，和I型区相接触。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件的制造方法。本发明制造方法利用BiCMOS工艺中现有工艺条件就能实现，无需额外增加工艺条件；本发明器件具有较低插入损耗和较高隔离度且隔离度方便改善调节，无需额外的工艺条件就可以实现为电路提供多一种器件选择。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 工艺 中的 寄生 pin 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件，其特征在于：所述寄生PIN器件形成于一P型硅衬底上，有源区通过浅沟槽隔离氧化层进行隔离，所述寄生PIN器件包括：一I型区，是由形成于有源区中的N型集电极注入区组成；一N型区，由形成于所述有源区侧面的所述浅沟槽隔离氧化层底部的N型赝埋层组成；所述N型区和所述有源区相隔一段距离，所述N型区和延伸到所述浅沟槽隔离氧化层底部的所述I型区相接触；在所述N型区顶部的所述浅沟槽隔离氧化层中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述N型区接触并将所述N型区引出；一P型区，由形成于所述有源区表面上的掺有N型杂质的本征基区外延层组成，和所述I型区相接触，所述P型区通过在其上部形成一金属接触引出。
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