[发明专利]半导体装置及其驱动方法

摘要

本发明的名称为半导体装置及其驱动方法，半导体装置使用允许晶体管的断态电流的充分降低的材料来形成；例如，使用作为宽能隙半导体的氧化物半导体材料。当使用允许晶体管的断态电流的充分降低的半导体材料时，半导体装置能够将数据保持长时段。另外，使信号线中的电位变化的定时相对写字线中的电位变化的定时延迟。这使得有可能防止数据写入差错。

主权项

一种半导体装置，包括：写字线；读字线；位线；信号线；包括第一存储单元和第二存储单元的存储单元阵列；第一驱动器电路；以及第二驱动器电路，其中所述第一存储单元和所述第二存储单元各包括：包括第一沟道形成区的第一晶体管，所述第一沟道形成区包括第一半导体材料；包括第二沟道形成区的第二晶体管，所述第二沟道形成区包括第二半导体材料，其中所述第一半导体材料与所述第二半导体材料不同；以及电容器，其中所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的第二端子以及所述电容器的一个电极相互电连接，其中所述第一存储单元的所述第一晶体管的第一端子和所述第二存储单元的所述第一晶体管的第二端子相互电连接，其中所述第一驱动器电路通过所述位线电连接到所述第一存储单元的所述第一晶体管的第二端子，并且通过所述信号线电连接到所述第一存储单元的所述第二晶体管的第一端子，以及其中所述第二驱动器电路通过所述读字线电连接到所述第一存储单元的所述电容器的另一个电极，并且通过所述写字线电连接到所述第一存储单元的所述第二晶体管的栅极。