[发明专利]高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件有效
| 申请号： | 201110257880.7 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969362A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;王玉光;董立军;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/26;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘介质层、非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极以及钝化层，其特征在于：沟道层包括至少一个由第一型材料构成的沟道保护层以及至少一个由第二型材料构成的沟道导电层。依照本发明的高稳定性非晶态金属氧化物晶体管器件结构，通过不同材料构成的沟道保护层可以有效保护非晶态氧化物半导体TFT中沟道导电层表面受外界环境、工艺、界面、电场等因素的影响，提高器件长期电应力稳定性；同时可以避免为提高长期稳定性所额外引入的工艺成本，例如刻蚀阻挡层的应用，非常规TFT结构的应用，高质量特殊工艺方法的栅介质与钝化层的应用等。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定性 晶态 金属 氧化物 tft 器件 | ||
【主权项】：
一种高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘介质层、非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极以及钝化层，其特征在于：沟道层包括至少一个由第一型材料构成的沟道保护层以及至少一个由第二型材料构成的沟道导电层。
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