[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110255938.4 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102403339A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 石井孝明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的实施方式，提供一种半导体装置，具备：第1导电型基极层；设置在第1导电型基极层之上的第2导电型基极层；栅极绝缘膜；与栅极绝缘膜邻接地在第2导电型基极层的表面选择地设置的第1导电型源极层；设置在沟槽内的栅极绝缘膜的内侧的栅电极；以及主电极。栅极绝缘膜设置在从第2导电型基极层的表面达到第1导电型基极层的沟槽的侧壁。主电极设置在第2导电型基极层的表面上及第1导电型源极层的表面上，并且设置在比沟槽内的栅电极及第2导电型基极层更深的位置。主电极与第2导电型基极层及第1导电型源极层电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型基极层；第2导电型基极层，设置在上述第1导电型基极层之上；栅极绝缘膜，设置在从上述第2导电型基极层的表面达到上述第1导电型基极层的多个沟槽的侧壁；第1导电型源极层，与上述栅极绝缘膜邻接地在上述第2导电型基极层的表面选择地设置；栅电极，设置在上述沟槽内的上述栅极绝缘膜的内侧；以及主电极，设置在上述第2导电型基极层的表面上及上述第1导电型源极层的表面上，并且设置在比上述沟槽内的上述栅电极及上述第2导电型基极层深的位置，与上述第2导电型基极层及上述第1导电型源极层电气连接。
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