[发明专利]发光元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110255651.1 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102956781A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吴俊德;李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;罗会英 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光元件，包含第一披覆层、发光层、第二披覆层、铟镓氧化物，及电极单元，第一披覆层以半导体材料构成，发光层设置于第一披覆层上并在接受电能时将电能转换为光，第二披覆层设置于发光层上并与第一披覆层呈相反电性，铟镓氧化物的化学式为InyGa1-yOxN1-x，0＜y＜1，0＜x≤1，且铟镓氧化物设置于第二披覆层上，电极单元传送来自外界的电能至该发光层。本发明利用铟镓氧化物降低与电极单元间的接触电阻，并同时降低元件的工作电压，及增加元件整体的导电率，进而增加元件整体的发光效率。本发明还提供该发光元件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件，包含：一层第一披覆层、一层发光层、一层第二披覆层，及一个电极单元，该第一披覆层以半导体材料构成，该发光层设置于该第一披覆层上并在接受电能时将电能转换为光能，该第二披覆层设置于该发光层上并与该第一披覆层呈相反电性，该电极单元传送来自外界的电能至该发光层；其特征在于：该发光元件还包含一个铟镓氧化物，该铟镓氧化物设置于该第二披覆层上，且该铟镓氧化物的化学式为InyGa1‑yOxN1‑x，0＜y＜1，0＜x≤1。
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