[发明专利]发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110247264.3 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102299218A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张楠;周健华;朱广敏;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法，其中该制作方法是利用金属有机化学气相沉积技术在半导体衬底上依次生长出缓冲层及外延层，所述外延层包括N-GaN层、量子阱、及P-GaN层，及成长在所述P-GaN层上的氮化铝层，然后，利用掩膜技术，将要制作P电极的区域进行保护；腐蚀芯片P电极区域以外的氮化铝（AlN）层，直至P-GaN层；去除掩膜层，形成带有电流阻挡的外延结构；接着，制作透明导电层及P电极与N电极；形成具有电流阻挡层结构的芯片。上述方法制作出的可以提高发光二极管的出光效率及可靠的电极稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，利用金属有机化学气相沉积技术在所述半导体衬底上依次生长出缓冲层及外延层，所述外延层包括N‑GaN层、成长在所述N‑GaN层上的量子阱、成长在所述量子阱上的P‑GaN层、及成长在所述P‑GaN层上的氮化铝层；2)利用掩膜技术，将要欲制作P电极的区域藉由一掩膜层进行保护；3)腐蚀所述欲制作P电极的区域以外的氮化铝层，直至所述P‑GaN层；4)去除所述掩膜层，以形成带有电流阻挡层的外延结构；以及5)在所述P‑GaN层上制备出透明导电层及P电极，在所述N‑GaN层上制备出N电极，形成具有电流阻挡层结构的发光二极管。
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