[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成位于沟道中心区域上的覆盖层；在半导体衬底的未被覆盖层覆盖的区域掺杂氟；在覆盖层的两侧形成侧墙，侧墙位于第一区域和第二区域上；去除覆盖层和侧墙以在牺牲层中形成暴露半导体衬底的开口；在开口内的半导体衬底上形成栅氧化物层。本发明通过控制第一区域和第二区域中掺杂氟的特性并结合随后的栅氧化物层的形成工艺，分别控制第一区域A和第二区域B上的栅氧化物层的厚度以及沟道中心区域C上的栅氧化物层的厚度，进而可以减小、甚至避免在栅极与源极/漏极之间的重叠区域产生GIDL电流的同时，保证沟道中心区域的性能。

主权项

一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括：a）提供半导体衬底；b）在所述半导体衬底上形成覆盖层，所述覆盖层位于所述半导体衬底的沟道中心区域上，所述沟道中心区域为待形成的栅极正下方的沟道区域；c）在所述半导体衬底的未被所述覆盖层覆盖的区域掺杂氟；d）在所述覆盖层的两侧形成侧墙，所述侧墙位于第一区域和第二区域上，所述第一区域为待形成的栅极与待形成的源极的重叠区，所述第二区域为所述待形成的栅极与待形成的漏极的重叠区；e）在所述侧墙的外侧形成牺牲层； f）去除所述覆盖层和所述侧墙，以在所述牺牲层中形成暴露所述半导体衬底的开口，所述开口位于所述第一区域、所述沟道中心区域和所述第二区域；以及g）在所述开口内的所述半导体衬底上形成栅氧化物层。