[发明专利]低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201110238139.6 | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102789987A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法。首先提供一N型漏极基底，并在N型漏极基底形成一P型外延层。接着，在一晶胞区域内的P型外延层中形成至少一沟槽，并且在沟槽的表面形成一缓冲层。填入一N型掺质来源层到沟槽内，并且回蚀刻N型掺质来源层，以在沟槽的上部形成一凹陷结构。在凹陷结构的表面形成一栅极氧化层，同时，使N型掺质来源层内的N型掺质经由缓冲层扩散到P型外延层，而形成一N型基体掺杂区。接着，在凹陷结构内填入一栅极导体，并且在栅极导体周围的P型外延层内形成一N+型源极掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 米勒 电容 超级 功率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于包含有：提供一N型漏极基底；在所述的N型漏极基底形成一P型外延层；在一晶胞区域内的所述的P型外延层中形成至少一沟槽；在所述沟槽的表面形成一缓冲层；在所述沟槽内填入一N型掺质来源层；回蚀刻所述的N型掺质来源层，以在所述沟槽的上部形成一凹陷结构；在所述凹陷结构的表面形成一栅极氧化层，同时，使所述的N型掺质来源层内的N型掺质经由所述的缓冲层扩散至所述的P型外延层，以形成一N型基体掺杂区；在所述的凹陷结构内填入一栅极导体；以及在所述的栅极导体周围的所述的P型外延层内形成一N+型源极掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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