[发明专利]低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法

权利要求书

1.一种低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于包含有：

提供一N型漏极基底；

在所述的N型漏极基底形成一P型外延层；

在一晶胞区域内的所述的P型外延层中形成至少一沟槽；

在所述沟槽的表面形成一缓冲层；

在所述沟槽内填入一N型掺质来源层；

回蚀刻所述的N型掺质来源层，以在所述沟槽的上部形成一凹陷结构；

在所述凹陷结构的表面形成一栅极氧化层，同时，使所述的N型掺质来源层内的N型掺质经由所述的缓冲层扩散至所述的P型外延层，以形成一N型基体掺杂区；

在所述的凹陷结构内填入一栅极导体；以及

在所述的栅极导体周围的所述的P型外延层内形成一N⁺型源极掺杂区。

2.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的栅极导体、所述的栅极氧化层、所述的N⁺型源极掺杂区和所述的N型基体掺杂区构成一垂直晶体管。

3.根据权利要求2所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的垂直晶体管具有一信道，其位在所述N⁺型源极掺杂区和所述N型基体掺杂区间。

4.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述沟槽深入至所述N型漏极基底。

5.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的缓冲层是以热氧化法形成。

6.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的缓冲层包含有氧化硅。

7.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其中所述的N型掺质层包含砷掺杂硅玻璃。

8.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于还包含在所述的P型外延层内形成一P型井。

9.根据权利要求8所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述P型井的掺杂浓度大于所述P型外延层的掺杂浓度。

10.根据权利要求8所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的凹陷结构的深度约略等于所述的P型井的一接面深度。

11.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的栅极导体包含有多晶硅。

12.根据权利要求1所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的栅极导体直接接触所述的N型掺质来源层。

13.一种低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于包含有：

提供一N型漏极基底；

在所述的N型漏极基底形成一P型外延层；

在一外围耐压区域内的所述的P型外延层中形成至少一沟槽；

在所述沟槽的表面形成一缓冲层；

在所述的沟槽内填入一N型掺质来源层；

回蚀刻所述的N型掺质来源层，以在所述的沟槽的上端形成一凹陷结构；

在所述的凹陷结构的表面形成一栅极氧化层，同时，使所述的N型掺质来源层内的N型掺质经由所述的缓冲层扩散至所述的P型外延层，形成一N型基体掺杂区；

去除所述的边耐压区域内的所述栅极氧化层；以及

在所述的凹陷结构内填入一栅极导体。

14.根据权利要求13所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的栅极导体直接接触所述的P型外延层。

15.根据权利要求13所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于另包含在所述的P型外延层内形成一P型井。

16.根据权利要求15所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的栅极导体直接接触所述的P型井。

17.根据权利要求13所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的栅极导体包含有多晶硅。

18.根据权利要求13所述的低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法，其特征在于所述的栅极导体直接接触所述的N型掺质来源层。