[发明专利]常关型场控沟道GaN异质结二极管无效
| 申请号： | 201110234794.4 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102280494A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;张竞;汪志刚;魏进;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 常关型场控沟道GaN异质结二极管，属于半导体器件技术领域。本发明采用绝缘层-凹槽、调制掺杂以及凹槽-调制掺杂相结合的技术改变现有GaN异质结二极管的导电沟道结构，将原有的常开型自发极化GaN异质结导电沟道改成本发明中的自发极化和压电极化相结合的常关型场控导电沟道，实现了GaN异质结二极管导电沟道的场控特性并降低了正向导通电阻和增强了反向截止能力。本发明具有较低的正向导通电阻和功耗，较强的反向截止能力，并且与AlGaN/GaN HEMT功率开关器件工艺兼容，有利于器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型场控 沟道 gan 异质结 二极管 | ||
【主权项】：
常关型场控沟道GaN异质结二极管，包括：沉积于衬底表面的GaN异质结、常关型场控导电沟道、阳极(6)和阴极(3)；所述GaN异质结由AxGa1‑xN薄膜(2)和GaN薄膜(1)构成，其中A为Al或In、0＜x≤1，而GaN薄膜(1)位于衬底和AxGa1‑xN薄膜(2)之间；所述常关型场控导电沟道包括GaN异质结界面处的二维电子气导电沟道和位于GaN异质结界面上方且靠近阳极的场控沟道电极(4)，通过控制场控沟道电极(4)的电压能够实现二维电子气导电沟道的导通与截止；所述阳极(6)和阴极(3)分别位于GaN异质结界面上方的两端，其中阳极(6)与AxGa1‑xN薄膜(2)之间实现欧姆接触并与场控沟道电极(4)相短接，阴极(3)与AxGa1‑xN薄膜(2)之间实现欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110234794.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LED芯片电极、LED芯片及LED照明光源
- 下一篇：一种旋转型编藤沙发
- 同类专利
- 专利分类
