[发明专利]半导体装置

摘要

本实施方式的半导体装置依次具备：第一电极(13)、第一导电型的第一半导体层(1)、第一导电型的第二半导体层(2)、第二导电型的第三半导体层(3)、第一导电型的第四半导体层(4)。元件区域在第一沟槽(5)的内部具备栅电极(8)。环状结构的第二沟槽(6)贯穿所述第四半导体层(4)和所述第三半导体层(3)而到达所述第二半导体层(2)，形成在内侧具有元件区域的第一区域和在外侧包围所述第一区域的第二区域。第一开口部(14)设置在相邻的所述第一沟槽(5)间。宽度比第一开口部(14)宽的第二开口部(15)设置在元件区域的外侧的第一区域。第二电极(17)经由第一开口部(14)和第二开口部(15)与第三半导体层(3)和第四半导体层(4)电连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于：具备：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且第一导电型杂质浓度比所述第一半导体层低；第二导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层上；第一导电型的第四半导体层，设置在所述第三半导体层上，且第一导电型杂质浓度比所述第二半导体层高；第一绝缘膜，设置在多个第一沟槽的内壁，该多个第一沟槽贯穿所述第四半导体层和所述第三半导体层而到达所述第二半导体层且沿与所述第一半导体层的表面平行的第一方向延伸；栅电极，隔着所述第一绝缘膜而埋入所述第一沟槽内；第二绝缘膜，设置在第二沟槽的内壁，该第二沟槽贯穿所述第四半导体层和所述第三半导体层而到达所述第二半导体层，并且该第二沟槽为环状结构，在内侧具有包含多个所述栅电极的元件区域的第一区域和在外侧包围所述第一区域的第二区域之间，具有将所述第三半导体层和第四半导体层分别分割、在所述第一方向上延伸的部分；第三绝缘膜，设置在所述第一区域和所述第二区域的所述第四半导体层上，与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜连接，使所述第四半导体层与外部绝缘；栅极布线层，在所述第一区域中设置于所述第三绝缘膜上，包围所述元件区域，在所述第一沟槽的两端与所述栅电极电连接；层间绝缘膜，设置在所述栅电极、所述栅极布线层、所述第二沟槽以及所述第三绝缘膜上，使所述栅电极和所述栅极布线层分别与外部绝缘；第一电极，设置在所述第一半导体层的与所述第二半导体层相反一侧的表面上；和第二电极，经第一开口部和第二开口部与所述第三半导体层和所述第四半导体层电连接，该第一开口部在相邻的所述第一沟槽间贯穿所述层间绝缘膜、所述第三绝缘膜、所述第四半导体层，该第二开口部在与所述第一方向正交的第二方向上，在所述多个第一沟槽中的与所述栅极布线层相邻的第一沟槽和所述栅极布线层之间，贯穿所述层间绝缘膜、所述第三绝缘膜、所述第四半导体层，并在所述第一方向上延伸，在所述第二方向上，所述第二开口部的宽度比所述第一开口部的宽度大。