[发明专利]半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110216966.5 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102373019A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 浅井文辉;志贺豪士;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法。本发明涉及一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在切割带的第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度X，和其中剥离强度X为0.01-0.2N/20mm，和剥离强度Y为0.2-10N/20mm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 背面 切割 集成 用于 生产 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在所述切割带的所述第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中所述第一压敏粘合剂层与所述第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于所述第二压敏粘合剂层与所述半导体背面用膜之间的剥离强度X，和其中所述剥离强度X为0.01 0.2N/20mm，和所述剥离强度Y为0.2 10N/20mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110216966.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种顶驱
- 下一篇：生物信息获取方法和烟酰胺代谢物测量方法
