[发明专利]新型阶梯栅结构IGBT及其制造方法无效
| 申请号： | 201110211853.6 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102254942A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;朱阳军;卢烁今;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型阶梯栅结构IGBT及其制造方法，其包括半导体基板；半导体基板的第一主面上设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内的上部设有第一导电类型集电区；半导体基板的第二主面上设有第二导电类型发射区及集电极；第二导电类型基区通过位于JFET区栅氧化层及第一导电类型基区相隔离；JFET区栅氧化层的底部边缘向外延伸形成沟道区栅氧化层；沟道区栅氧化层与JFET区栅氧化层上淀积有导电多晶硅，导电多晶硅上淀积有绝缘介质层；绝缘介质层上刻蚀有第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔内填充有发射极；第二接触孔内填充有栅电极。本发明工艺步骤方便，降低栅极与发射极间的电容，减小了截止频率及开关速度，降低阈值电压，适应范围广，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 阶梯 结构 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种新型阶梯栅结构IGBT，在所述半导体IGBT的截面上，包括具有第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板具有相对应的第一主面与第二主面，所述第一主面与第二主面间形成第一导电类型基区；所述半导体基板的第一主面上设有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区在第一导电类型基区内向第二主面方向延伸，第二导电类型基区内的上部设有第一导电类型集电区；半导体基板的第二主面上设有第二导电类型发射区，所述第二导电类型发射区上设有集电极；其特征是：第一导电类型基区内的第二导电类型基区通过位于第一主面上的JFET区栅氧化层及位于所述JFET区栅氧化层下方的第一导电类型基区相隔离；所述JFET区栅氧化层的底部边缘向外延伸形成沟道区栅氧化层，所述沟道区氧化层的厚度小于JFET区栅氧化层的厚度，沟道区栅氧化层与JFET区栅氧化层间形成阶梯栅结构；沟道区栅氧化层与对应的第一导电类型集电区及第二导电类型基区相接触；沟道区栅氧化层与JFET区栅氧化层上淀积有导电多晶硅，所述导电多晶硅上淀积有绝缘介质层；所述绝缘介质层上刻蚀有第一接触孔及第二接触孔，所述第一接触孔内填充有发射极，所述发射极将第二导电类型基区及位于所述第二导电类型基区内的第一导电类型集电区连接成等电位；第二接触孔内填充有栅电极，所述栅电极位于JFET区栅氧化层的上方，并与第二接触孔底部的导电多晶硅相接触。
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