[发明专利]三维存储器阵列有效
| 申请号： | 201110204733.3 | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102881317A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;H01L27/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器阵列。各字元线层具有沿第一方向交替排列的多条字元线及多个间隙，间隙包括交替排列的第一群间隙与第二群间隙。第一位元线层在字元线层上且具有沿第二方向的多条位元线。第一导电柱阵列穿过字元线层并连接第一位元线层，其包括在第一群间隙中的多个第一导电柱。各第一导电柱与邻接的字元线间配置有第一存储器构件。第二位元线层在字元线层下且具有沿第二方向的多条第二位元线。第二导电柱阵列穿过字元线层并连接第二位元线层，其包括在第二群间隙中的多个第二导电柱。各第二导电柱与邻接的字元线间配置有第二存储器构件。本发明的三维存储器阵列的下层的存储器层的可靠度及效能不会下降。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
一种三维存储器阵列，包括：多个字元线层，每一个字元线层具有沿一第一方向交替排列的多条字元线及多个间隙，所述多个间隙包括交替排列的一第一群间隙与一第二群间隙；一第一位元线层，配置在所述多个字元线层的上方且具有沿一第二方向排列的多条位元线，该第二方向与该第一方向垂直；一第一导电柱阵列，延伸穿过所述多个字元线层并与该第一位元线层电性连接，该第一导电柱阵列包括多个第一导电柱，所述多个第一导电柱配置在该第一群间隙中，且每一个第一导电柱与一字元线层中与该第一导电柱邻接的一字元线之间配置有一第一存储器构件；一第二位元线层，配置在所述多个字元线层的下方且具有沿该第二方向排列的多条第二位元线；以及一第二导电柱阵列，延伸穿过所述多个字元线层并与该第二位元线层电性连接，该第二导电柱阵列包括多个第二导电柱，所述多个第二导电柱配置在该第二群间隙中，且每一个第二导电柱与一字元线层中与该第二导电柱邻接的一字元线之间配置有一第二存储器构件。
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